奥氏体化
奥氏体化
根据铁碳图，其完全奥氏体化的温度865℃，考虑到炉内测温点高于铸件的温度及转变动力学，故适宜的完成奥氏体化温度为880℃~920℃，当Si、P较高时，采用较高的奥氏体化温度对于低合金的ADI合金元素Cu、Ni、Mo等可以降低奥氏体温度，铸造组织中若含有碳化物，则奥氏体化加热温度和保温时间应适当提高。ADI工件奥氏体处理工艺过程应根据加热炉的工况、工件转载量、壁厚、升温速度、炉内温度均匀程度等具体情况而定，以便每个工件的最大断面完成转为奥氏体为准，必要时可采用分段加热方式，奥氏体化保温时间视需求可在60~240min。
对于双相ADI，其奥氏体化处理在称为临界奥氏体温度区间内进行。该温度在780℃~850℃之间，此时，处在（α+γ）两相区内。加热时，奥氏体现在共晶团内的铁素体间的界面形核长大，形成间断或连续的网状组织，其生长速度受碳扩散速度控制，故一切影响碳扩散速度的因素，皆影响奥氏体的生长速度，在临界奥氏体化温度区间内，随着温度的升高和保温时间延长，奥氏体数量增加，先析出铁素体数量少，根据对性能的不同要求，保温时间再120~180min。
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